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以 Al粉和 Al2 O3为原料 ,用铝粉氮化反应烧结技术 (RBAN)制备 Al ON陶瓷。氮化产物为纳米尺度的 Al N相 ,Al N纳米晶的高活性使得在 16 0 0℃即合成了 Al ON相 ,该温度低于相图显示的合成温度 (170 0℃ )。新生的细晶Al ON相有利于低温烧结 ,175 0℃制备出致密的 Al ON、Al2 O3- Al ON陶瓷