【摘 要】
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通过球磨CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒获得纳米粉末,采用丝网印刷工艺制备CIGS薄膜,研究了硒化温度和不同高温后处理方式对CIGS薄膜表面形貌及晶体结构的影响.结果表明,采用丝网印
【机 构】
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四川大学原子与分子物理研究所,电子科技大学微电子与固体电子学院
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通过球磨CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒获得纳米粉末,采用丝网印刷工艺制备CIGS薄膜,研究了硒化温度和不同高温后处理方式对CIGS薄膜表面形貌及晶体结构的影响.结果表明,采用丝网印刷工艺可以制备出均匀致密单一相的CIGS薄膜.硒化的温度越高,薄膜的结晶性越好.在600℃下,采用硫化锑（Sb2S3）代替硒源可以有效地改善CIGS薄膜的结晶性.
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