【摘 要】
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采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,
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采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.
The active region structure of terahertz quantum-cascade laser (THzQCL) is grown by using the gaseous source molecular beam epitaxy method. The electrochemical CV, Hall-Tester and high resolution The X-ray diffraction (XRD) characterization of the material shows that the THzQCL active region has a high crystal quality.In addition, the IV curve of resonant phonon THzQCL device is simulated by Monte Carlo method, and the sub-energy levels Alignment and electron transport characteristics.
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