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Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6mm2，离板高度为0.8mm，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥(half bridge)来驱动工业应用中的电机负载。
这些MOSFET的结点至环境热阻(ROJA)为83℃／W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。
ZXMN2AMC(双20V N沟道)、ZXMN3AMC(双30V N沟道)及ZXMC3AMC(互补30V)DFN3020封装MOSFET现已开始供应。
DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6mm2，离板高度为0.8mm，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥(half bridge)来驱动工业应用中的电机负载。
这些MOSFET的结点至环境热阻(ROJA)为83℃／W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。
ZXMN2AMC(双20V N沟道)、ZXMN3AMC(双30V N沟道)及ZXMC3AMC(互补30V)DFN3020封装MOSFET现已开始供应。