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采用射频磁控溅射法，以高纯Al（99．999％）为靶材，高纯N2为反应气体，在硅及金刚石上制备了氮化铝（AIN）薄膜．研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对A1N膜沉积的影响规律．结果表明，随着氮气比例的增大A1N（002）取向明显增强．溅射气压低有利于以AIN（002）面择优取向．
沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究
【摘 要】
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采用射频磁控溅射法，以高纯Al（99．999％）为靶材，高纯N2为反应气体，在硅及金刚石上制备了氮化铝（AIN）薄膜．研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对A1N膜沉积的影响规律．结果表明，随着氮
【机 构】
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天津电子信息职业技术学院软件学院,天津理工大学电子信息工程学院
【出 处】
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天津理工大学学报
【发表日期】
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2009年5期
【基金项目】
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基金项目：天津市自然科学基金重点项目（06YFJZJC00100）.
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