【摘 要】
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为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结（DH）结构和量子阱（QW）结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试
【机 构】
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北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61204011,11204009);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018);北京市自然科学基金项目(4142005)
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为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结（DH）结构和量子阱（QW）结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃。为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAs QW附近引入Al0.1Ga0.9As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23meV。基于优化的外延工艺参数,进行了980nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4mm、条宽95μm的脊形器件。结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W。
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