论文部分内容阅读
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料，由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得制备单一成分的Fe3O4非常困难，因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究，探索了晶化温度对薄膜结构的影响，并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善，得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件．另外，通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试，发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应，因此有望将其应用到自旋电子器件中．