论文部分内容阅读
<正> 近几年来,具有兆电子伏(以下简称MeV)能量的离子束在很多领域中获得广泛利用。它在VLSI等半导体离子注入中尤其可望取得崭新的进展。这是因为用MeV级能量进行离子注入时,离子注入的深度比过去的中能离子注入要多好几倍。例如,已经有人提出要将它用于反向阱、埋入栅以及ROM编程等方面的设想,而且已经开始在某些器件中应用。不论是用