【摘 要】
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发射效率和温度性能是核磁共振功放电路的重要指标,核磁共振发射器电路结构为D类全桥功率放大电路,引起D类功放效率下降的主要因素表现为场效应管的耗散功率。耗散功率既降低
【机 构】
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中国石油集团测井有限公司,中国石油天然气集团公司测井实验基地
【基金项目】
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中国石油天然气集团公司科学研究与技术开发项目偏心型核磁共振测井仪器研制（2016B-3703）,中国石油天然气集团公司重大工程技术现场试验项目175 ℃/140 MPa成像测井装备现场试验（2017F-16）
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发射效率和温度性能是核磁共振功放电路的重要指标,核磁共振发射器电路结构为D类全桥功率放大电路,引起D类功放效率下降的主要因素表现为场效应管的耗散功率。耗散功率既降低了发射效率,又会引起电路系统温度的上升。理论计算出175℃环境下,在一定条件的发射功率下,通过良好散热,功率MOSFET场效应管需要承受的最大结温约为200℃。芯片专用检测平台可以检测出功率场效应管的漏源击穿电压、漏极电流、栅源阈值电压、导通电阻等各参数随温度变化趋势。从大量芯片高温检测结果来看,功率MOSFET场效应管APT14M100B在200℃时的失效率约8%,经过筛选后的芯片用在电子线路上再次进行高温测试,测试结果表明,该场效应管能满足核磁共振发射器在井下175℃环境下有效稳定地工作。
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