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发展了一种研究a-Si:HTFT静态特性的新方法。从a-Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发,采用Shockley-Read-Hall统计描述,发展了一种局域态电荷密度统一模型,该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念,在此基础上,推导出了a-Si:HTFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a-Si材料参数对TFT静态特