论文部分内容阅读
发展了一种研究ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的新方法。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，发展了一种局域态电荷密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了ａ－Ｓｉ材料参数对ＴＦＴ静态特