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介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析.通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解.
碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究
【摘 要】
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介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析.通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解.
【机 构】
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伦敦大学学院,伦敦,WC1H 0AQ
【出 处】
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黑龙江科学
【发表日期】
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2022年4期
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