A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ^60Co gamma rays, electrons and proto

来源 :中国物理C：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengraul

【摘要】

：

Radiation hardened CC4007RH and non-radiation hardened CC4011 devices were irradiated using 60Co gamma rays,1 MeV electrons and 1-9 MeV protons to compare the i

【作者】

：

阿宝平姚志斌张凤祁

【机构】

：

NorthwestInstituteofNuclearTechnology

【出处】

：

中国物理C：英文版

【发表日期】

：

2009年6期

【关键词】

：

电离辐射损伤 CMOS器件伽玛射线电子辐照钴-60 质子比阈值电压 MeV gamma rays electrons protons radiat

【基金项目】

：

Supported by National Defence Foundation of China （3110060403）

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Radiation hardened CC4007RH and non-radiation hardened CC4011 devices were irradiated using 60Co gamma rays,1 MeV electrons and 1-9 MeV protons to compare the ionizing radiation damage of the gamma rays with the charged particles.For all devices examined,

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