【摘 要】
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利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管（sSWCNT）网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料, 以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线（Ag NW）网络薄膜作为源、漏电极, 在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列, 并使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件, 得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得, 不需要高温过程, 而且能够实现器件的大面积制备, 对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。
【机 构】
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上海理工大学能源与动力工程学院,上海200093中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部,江苏苏州215123
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利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管（sSWCNT）网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料, 以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线（Ag NW）网络薄膜作为源、漏电极, 在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列, 并使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件, 得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得, 不需要高温过程, 而且能够实现器件的大面积制备, 对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。
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