【摘 要】
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据《日经微器件》2007年第10期报道,台湾TSMC公司日前明确了其未来四年的发展计划。在2009年第四季度开始量产32nm的产品,而从2011年开始量产22nm的产品。在32nm产品中,采用
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据《日经微器件》2007年第10期报道,台湾TSMC公司日前明确了其未来四年的发展计划。在2009年第四季度开始量产32nm的产品,而从2011年开始量产22nm的产品。在32nm产品中,采用液浸式ArF曝光技术,NA指数为1.35x。而在22nm的生产中充分考虑降低成本的问题,在光刻技术选择上发生了变
According to “Nikkei Micro Devices,” No. 10 of 2007 reported that Taiwan TSMC company has clearly defined its development plan for the next four years. In the fourth quarter of 2009 began mass production of 32nm products, and from 2011 mass production of 22nm products. In 32nm products, liquid immersion ArF exposure technology, NA index of 1.35x. In the production of 22nm fully consider reducing the cost of the problem, the choice of lithography has changed
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