用于大功率领域的功率半导体器件

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在未来 10年显现的市场中 ,绝缘栅双极晶体管 (IGBT)和集成式门极换流晶闸管(IGCT) ,将成为柔性交流传动系统 (FACTS)和其它大功率应用领域的主导型功率半导体器件。半导体器件及其封装技术的新发展 ,将促进功率半导体器件更多地进入配电领域 ,这将导致装置的效率及可靠性提高 ,同时开关兆瓦级电路的成本将下降 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) and Integrated Gate Converters (IGCTs) will become the dominant power semiconductor devices in FACTS and other high-power applications in the markets that will emerge in the next 10 years . New developments in semiconductor devices and their packaging technologies will drive more power semiconductor devices into the distribution area, leading to increased device efficiency and reliability while reducing the cost of switching megawatt circuits
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