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蓝光雷射二极体具有之优异特性，使其在军事与民生用途上皆有极大的潜能，因此各工业先进国家近年来多已积极投入此一研究领域。利用二次离子质谱分析由分子束磊晶法制备ＺｎＳｅ为主之Ⅱ￣Ⅵ族蓝光雷射二极体多重薄膜结构，由二次离子质谱仪分析结果与制备条件相互对比，以帮助改进元件之磊晶品质，作为建立制程技术之参考。