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采用高温固相法合成了掺杂Im（Ln=Gd3＋，Cu-1,Sm3＋，Dy3＋）作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉。通过X射线衍射（XRD）对Ca8Mg（Si（X）4Cl2：Eu^2＋，Ln进行了表征．结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构。所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区，激发光谱在330～430nm之间均有较强吸收，与紫光InGaN芯片（395nm）相匹配。掺杂Ln作助激活剂增强了荧光粉的发光强度。借助Uitert经验公式计算出Eu2＋在CasMg（Si（X）：Cl2基质中占据八配位