脉冲激光沉积法制备的Pb（Zr0.4Ti0.6）O3铁电薄膜漏电机理

来源 :河北大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong472

【摘要】

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利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si（111）衬底上制备了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3（PZT）铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt上电极,构架了Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结.

【作者】

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陈剑辉刘保亭孙杰霍骥川赵敬伟王玉强赵庆勋

【机构】

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河北大学物理科学与技术学院

【出处】

：

河北大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年5期

【关键词】

：

Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 漏电机理铁电薄膜脉冲激光沉积 Pb（Zr0.4Ti0.6）O3 leakage mechanism ferroelec

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（60876055）, 河北省自然科学基金资助项目（E2008000620,E2009000207）, 教育部科学技术研究重点项目（207013）, 河北省应用基础研究计划重点项目（08965124D）

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利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si（111）衬底上制备了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3（PZT）铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt上电极,构架了Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结.采用X射线衍射和电容耦合测试技术分别表征了PZT铁电薄膜的微结构和电学性能.研究发现：在5 V的测试电压下,在560℃较低的沉积温度下生长的PZT薄膜电容器的剩余极化强度为187 C/m2、矫顽电压为2.0 V、漏电流密度为2.5×10-5A/cm2.应用数学拟合的方法研究了P

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