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研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应,结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少,首先合成MgNb2O6,但合成时并不加入过量MgO,合成温度为1050℃,由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷,在X射线衍射检测极人,并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相,对该陶瓷施用1kV/mm频率为0.07HZ的准静态电场,在室温下其纵向电致应变(S11)达1.05×10^-3而滞