【摘 要】
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本文简要地叙述了在集成电路制作中几种热氧化工艺模式的工艺原理及特点比较。并通过对几种不同模式的热氧化膜进行时间依赖性介质击穿特性(TDDB)及氧化膜击穿电场强度(Ebd)
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本文简要地叙述了在集成电路制作中几种热氧化工艺模式的工艺原理及特点比较。并通过对几种不同模式的热氧化膜进行时间依赖性介质击穿特性(TDDB)及氧化膜击穿电场强度(Ebd)的分析和比较,发现在一定条件下,采用湿法氧化及稀释湿法氧化生长的氧化膜在击穿前的单位面积累积电荷量(QBD)及氧化膜击穿电场强度均优于DCE氧化和干法氧化,本文对试验结果进行了详细的讨论和分析。通过大量实践和工艺的不断改进和完善,目前稀释湿法氧化工艺已成为大规模集成电路中栅氧化膜制作中的最佳选择。
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