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研究了PSN-PZT系统中的组成对压电性能的影响及其作用机理.通过对PSN-PZT系统Zr/Ti比值的调整,使系统点处于准同型相界附近时性能可以得到优化,这一点从微观结构分析得到验证.通过对系统进行A位和B位掺杂取代来提高其性能,获得了性能优异的压电陶瓷材料,其机电耦合系数Kp高达0.70.
PSN-PZT系统压电陶瓷智能材料的性能与改进研究
【摘 要】
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研究了PSN-PZT系统中的组成对压电性能的影响及其作用机理.通过对PSN-PZT系统Zr/Ti比值的调整,使系统点处于准同型相界附近时性能可以得到优化,这一点从微观结构分析得到验证
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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天津大学学报
【发表日期】
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2004年期
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