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本文介绍并评价了杂质Ｚｎ在ＧａＡｓ中的两种比较新的间隙－替换扩散机制：ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｖｅ和ｋｉｃｋ－ｏｕｔ机制，讨论了今后的研究方向。
GaAs中杂质Zn的扩散机制
【摘 要】
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本文介绍并评价了杂质Ｚｎ在ＧａＡｓ中的两种比较新的间隙－替换扩散机制：ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｖｅ和ｋｉｃｋ－ｏｕｔ机制，讨论了今后的研究方向。
【机 构】
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大连理工大学三束实验室
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1995年4期
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