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与上一代设计规则相比，亚100nm设计规则DRAM的开发和制造面临着前所未有的挑战。按照新型设计概念，由于器件结构不断缩小，其外形特征的深．宽比增大，这样就给工艺控制增加了难度。因此要求寻找一种能够对带状缺陷和孔洞缺陷进行可靠检测的高深．宽比（HAR）检测方法。另外，由于缺陷尺寸接近小型特征尺寸，许多从前认为不那么严重的缺陷如今变得极具损害力。因而缺陷检测和良率控制技术的改良成为加速开发并实现批量生产的基础。