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摘要:该文通过对太赫兹通信相关器件的总结和相关信道特性的分析,调研了近年来国内外相关实验的结果,对重点实验结果做了着重描述,总结出了未来室内无线通信可能的发展方向和亟待解决的问题。太赫兹波段是介于毫米波与远红外的电磁辐射频段。室内无线局域网的高数据率传输要求通信系统运行于更高的频率以获得更大的带宽。太赫兹频率范围未受军事管制,可实现Gbit/s数据率,并且太赫兹频域不像光频受环境噪声干扰那么严重。全固态室温太赫兹器件的研究为太赫兹无线通信系统奠定了基础。已探明适于未来太赫兹室内通信系统运行的大气窗口。基于飞秒激光门控光导天线的太赫兹通信链路实现了太赫兹波载波音频信号的调制和解调。
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2004年,以单行电子作为活性载流子的新型光电二极管(UTC-PD)研制成功,它同时具有高速度和高饱和输出特性,能够得到输出功率为2.6μW,频率为1.04THz的太赫兹波,它能适合在10Gb/s的THz无线通信中应用。这是目前所能得到的所有光电二极管中的最大输出功率。由此,以通信为目的的可靠THz发射器可以实现[11]。全固态室温太赫兹器件的最新发展为太赫兹无线通信系统带来了可喜的前景。太赫兹低频段的功率可由基于Schottky二极管并由W-band HEMT(高电子迁移率晶体管)功率放大器泵浦的倍增电路,或者Gunn波荡器产生。二极管电路由无衬底技术或薄膜技术制造,使得它可以与其他器件半单片集成,在800 GHz的输出功率达1 mW,带宽在15%量级[12-16]。DSB转换损耗介于5-8 dB、噪声温度在600-1500 K的分频谐波泵浦混合器可在200-600 GHz实现[12,16],基于外差式检波器的THz通信接收器可以制作出来。首个直接调制太赫兹辐射的方法由Libon等人[17]用光控混合I型/II型GaAs/AlAs多量子阱结构给出。Kersting等人[18]则开发了另一种量子阱构成的电驱动调制器,通过加上电场来控制PQWs的电子布居从而控制器件对太赫兹的吸收,以达到调制的目的。
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[5] Shen Y C,Upadhya P C,Linfield E H,et al.Ultrabroadband THz radiation from low-temperature-grown GaAs photoconductive emitters[J].Appl.Phys.Lett.,2003,83:3117–3119.
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