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对经250℃P型热处理获得的Hg1-xCdxTeMBE材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算,由此得到HgCdTe-MBE材料的受主浓度为2-3×10^16cm^-3,残余施主浓度为5×10^15cm^-3左右,两才相比显示材料的补偿度较低,拟合得到的汞空位受主能级为15-18meVdisplay structure