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本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.
GaAs MESFET栅的取向效应：I.解析模型
【摘 要】
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本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年4期
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