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介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化.采用2m p阱CMOS工艺模型模拟分析,可以发现该参考源在0℃ ~ 100℃温度范围内有较好的温度特性.
一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计
【摘 要】
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介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化.采用2m p阱CMOS工艺模型模
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2003年3期
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