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制备了不同摩尔浓度Li^+掺杂ZnO—Li0.022陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li^+的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,RF溅射的最佳基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar:O2=20:5,溅射功率50~60W;制备出的ZnO薄膜高度c轴(002)择优取向、均匀、致密,其绝缘电阻率ρ为4.12×10^7Ω·cm,满足研制声表面波器件(SAW)的