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通过X射线光电子能谱和低能电子衍射实验研究了10~180 eV的Ar+、 He+、S+离子轰击n-InP(100)表面, 发现S+离子轰击可以产生In-S组分,减轻离子轰击对表面的物理损伤.对于Ar+离子轰击后的表面,经过S+离子处理和加热过程以后,表面损伤得到了修复,最终得到了2×2的InP表面,进一步验证了S+离子对InP表面的修复作用.