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利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）并结合Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）研究了ＡｌＮ陶瓷基板在８５０—１１００℃空气中退火时的初始氧化行为．结果表明，未退火ＡｌＮ陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层．在退火１０ｍｉｎ的条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅速增厚．在１１００℃退火２０ｍｉｎ的条件下，ＡｌＮ陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成．最后，结合化学热力学，探讨了ＡｌＮ陶瓷基板表面的初始氧化机理．