【摘 要】
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美国《微电子器件试验方法和程序》(MlL-STD-883C)第五次修改稿(1987年5月29日发表)对方法1019“稳态总剂量辐射照方法”作了重大修改。归纳如下: 1.把“原位测试”改为“边
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美国《微电子器件试验方法和程序》(MlL-STD-883C)第五次修改稿(1987年5月29日发表)对方法1019“稳态总剂量辐射照方法”作了重大修改。归纳如下: 1.把“原位测试”改为“边照射边测试”和“停止照射测试”两种测试方法。3.7节提出,除非另有规定,应采用边照边测试和停止照射测试。2.新提出在Co-60源辐照时,为了降低由低能散射辐照引起的剂量增强效应,试验样品应放入一个Pb/Al盒子中。
Method 1019, “Methodology and Procedure for Testing Microelectronic Devices” (MlL-STD-883C), Fifth Modification, published May 29, 1987, has made major changes to Method 1019, “Steady State Total Dose Radiation Exposure Method.” Summarized as follows: 1. The “in situ testing” was changed to “side irradiation side test” and “stop the irradiation test” two test methods. Section 3.7 states that, unless otherwise specified, edge-lighting and stop-lighting shall be used. 2. It is newly proposed that the test sample be placed in a Pb / Al cell in order to reduce the dose-enhancing effect caused by low-energy scattered radiation at the Co-60 source irradiation.
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