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硅中Rh—B络合物性质的理论研究
硅中Rh—B络合物性质的理论研究
来源 :化学物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lichao0714900
【摘 要】
:
用原子簇RhBSi25模拟含四面体间隙位Rh和替代位B构成的络合物的硅晶体,采用量子化学中Xα-SW分子轨道理论计算体系的电子结构,电荷分布分析表明,此体系不能用通常的离子模型来描述。
【作 者】
:
曹洪凯
倪国权
吴汲安
【机 构】
:
招远市教师进修学校,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
化学物理学报
【发表日期】
:
1994年2期
【关键词】
:
硅
铑-硼络合物
Xα-SW
分子轨道
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用原子簇RhBSi25模拟含四面体间隙位Rh和替代位B构成的络合物的硅晶体,采用量子化学中Xα-SW分子轨道理论计算体系的电子结构,电荷分布分析表明,此体系不能用通常的离子模型来描述。
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