【摘 要】
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采用了电沉积法在SnO2透明导电玻璃上制备了硫化锡(SnS)薄膜,并对用电化学法实现Sn和S共沉积的条件参数进行了理论探讨.实验中,利用SnCl2和Na2S2O3的混合水溶液作为电沉积液
【机 构】
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南开大学化学学院,军事交通学院基础部
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采用了电沉积法在SnO2透明导电玻璃上制备了硫化锡(SnS)薄膜,并对用电化学法实现Sn和S共沉积的条件参数进行了理论探讨.实验中,利用SnCl2和Na2S2O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的SnS薄膜,对实验参数进行了优化. 对薄膜进行了X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)测量及光学测试. 实验发现,制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构, 晶粒大小约为150 nm, 直接光学带隙在1.36～1.73 eV之间可调.
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