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本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200～280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。
光刻胶上的PECVD二氧化硅
【摘 要】
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本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200～280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。
【机 构】
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骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所陕西临潼,陕西临潼,陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年10期
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