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对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示：微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.
微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究
【摘 要】
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对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示：微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年6期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000028202,G2000028203）,天津市科技攻关（批准号：043186511）和国家自然科学基金（批准号： 60506003）资助项目.致谢 感谢中国-希腊政府间合作项目对本论文的支持.
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