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本文研究了CMOS电路中的Latchup效应。通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Latchupfree结构。本文同时使用PISCES对Latchup效应进行了二维模拟。
CMOS电路抗Latchup性能研究
【摘 要】
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本文研究了CMOS电路中的Latchup效应。通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Latchupfree结构。本文同时使用P
【机 构】
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清华大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年5期
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