【摘 要】
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A new LDMOST structure, named B-LDMOST that has a buried layer under thedrain is proposed. The buried layer is not connected to the drift region, so it can opt
【出 处】
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Journal of Electronics(China)
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A new LDMOST structure, named B-LDMOST that has a buried layer under thedrain is proposed. The buried layer is not connected to the drift region, so it can optimize thevertical field distribution and increase breakdown voltage. The analysis and the simulated resultsshow that B-LDMOST can increase breakdown voltage, with almost negligible influence on theother parameters such as on-resistance, switching time, and so on.
A new LDMOST structure, named B-LDMOST that has a buried layer under therain is proposed. The buried layer is not connected to the drift region, so it can optimize thevertical field distribution and increase breakdown voltage. The analysis and the simulated resultsshow that B -LDMOST can increase breakdown voltage, with almost negligible influence on theother parameters such as on-resistance, switching time, and so on.
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