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结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法,实验结果表明,1000度氧化温度下采用于一湿-干氧化法,经过70分钟可生长350nm-450nm厚的二氧化硅层,这不仅大大缩短了高温氧化时间,降低了生产成本,而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求。