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低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.
Si掺杂的AlGaInP／GaInP多量子阱光学特性
【摘 要】
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低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2005年3期
【基金项目】
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广东省广州市科技攻关项目
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