【摘 要】
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研究了深低温环境下MOS管与LVDS驱动电路的工作特性.与常温环境相比,LVDS电路在77 K环境下的输出电流更大,导致输出差分信号幅值增大.MOS管在77 K低温环境下的载流子迁移率为
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200
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研究了深低温环境下MOS管与LVDS驱动电路的工作特性.与常温环境相比,LVDS电路在77 K环境下的输出电流更大,导致输出差分信号幅值增大.MOS管在77 K低温环境下的载流子迁移率为常温下的3倍,导致器件电流增大.根据低温条件下器件变化特性的数据分析结果,调节电路结构与器件参数,设置多档可调参考电流,并调节LVDS输出信号于标准范围内.采用标准0.35 μm CMOS工艺进行流片验证.结果 表明,LVDS驱动电路在77 K环境下工作时,共模电平为1.2V,电压摆幅为400 mV.
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