减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yushion
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业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形激光器在50℃的寿命试验说明:采用厚顶层(~40μm)和减薄了的衬底(~80μm)使其寿命得到很大改进。 It has been demonstrated that by adjusting the thickness of the top layer and the substrate to a suitable value, the stress of the active layer caused by the bonding process can be reduced. Lifetime experiments at 50 ° C for an internal bar laser with a (GaAI) As V channel substrate with a lasing wavelength of 740 nm demonstrated that lifetime was obtained using a thick top layer (~ 40 μm) and a thinned substrate (~ 80 μm) Great improvement.
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