反应溅射TiO2-xNx膜的可见光吸收性能

来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dna0716

【摘要】

：

用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜.利用光电子能谱(XPS)对薄膜的成分进行了分析,并研究了薄膜的可见光吸收性能.结果表明:反应气体中N2的质量分数是影响薄膜

【作者】

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赵明方玲张弓庄大明

【机构】

：

清华大学

【出处】

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材料研究学报

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

无机非金属材料 TIO2薄膜 N掺杂中频交流反应磁控溅射可见光吸收 Annealing Doping (additives) Light absorptio

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用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜.利用光电子能谱(XPS)对薄膜的成分进行了分析,并研究了薄膜的可见光吸收性能.结果表明:反应气体中N2的质量分数是影响薄膜中Ti-N键的主要因素;在N2气氛中380℃退火有利于提高N掺杂的含量;厚度的增加使薄膜的吸收性能在紫外到可见光区都有提高;含N量为1.5%的TiO2-xNx薄膜吸收限由TiO2薄膜的387nm红移至441nm.

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