【摘 要】
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本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/AlN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）中极化
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60976070）资助的课题.
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本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/AlN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）中极化电荷面密度、二维电子气（2DEG）浓度的影响,分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系；结果表明,2DEG浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度,插入一层1—3 nm薄的AlN层,可以明显提高电子迁移率。
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