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Marx发生器是一种广泛应用的高压脉冲电源，由高储能密度、低电感的电容器和电子开关组成，利用电容充放电方式产生高压脉冲．本研究通过分析经典Marx发生器的充放电特性，提出一种基于功率金属氧化物半导体场效应管（metal—oxide．semiconductor field—effect transistor，MOSFET）的负高压电路设计方法．测试结果表明，该电路在所加直流电压为1500V时，能够产生幅度为2倍于直流供电电压，下降沿小于10ns的负高压脉冲．