【摘 要】
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本工作就添加Ｖ２Ｏ５对Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３吉性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论，实验结果发现，添加少量Ｖ２Ｏ５能明显改善ＢＭＴ陶瓷的烧结性，当Ｖ２Ｏ５的添加量为０．１ｍｏｌ％时，烧结体密度可达理论密度的９８％，同时较纯ＢＭＴ陶瓷烧结温度降低１５０℃
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本工作就添加Ｖ２Ｏ５对Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３吉性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论，实验结果发现，添加少量Ｖ２Ｏ５能明显改善ＢＭＴ陶瓷的烧结性，当Ｖ２Ｏ５的添加量为０．１ｍｏｌ％时，烧结体密度可达理论密度的９８％，同时较纯ＢＭＴ陶瓷烧结温度降低１５０℃左右，此时样品仍具有较高的微波介电性能，Ｑ．ｆ＝６２４５０ＧＨｚ，εγ＝２５。
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