【摘 要】
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本工作就添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3吉性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论,实验结果发现,添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性,当V2O5的添加量为0.1mol%时,烧结体密度可达理论密度的98%,同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃
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本工作就添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3吉性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论,实验结果发现,添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性,当V2O5的添加量为0.1mol%时,烧结体密度可达理论密度的98%,同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右,此时样品仍具有较高的微波介电性能,Q.f=62450GHz,εγ=25。
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