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<正> 美国电报电话公司贝尔实验室的研究人员研究了一种采用四乙氧基硅烷(TEOS)定向淀积硅氧化层的工艺。先前的研究显示,硅氧化层的台阶复盖随O_2:TEOS气体流量比而变化,在传统的富氧条件下不可能进行定向淀积。在上个月在加州圣克拉腊召开的VLSI多层互连会议上,他们报道了通过控制淀积的化学过程进行定向淀积的最新研究成果。