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通过自组装生长并结合两步退火处理，在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点。采用高分辨显微分析方法，X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究，得到了量子点内部的成分分布，相关的试验数据吻合一致，验证了Si量子点MOSFET的结构模型。
基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征
【摘 要】
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通过自组装生长并结合两步退火处理，在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点。采用高分辨显微分析方法，X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细
【机 构】
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北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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2007年2期
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