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运用相对论密度泛函离散变分法（DV—Xa）计算了BaMoO4晶体中F和F^＋色心的电子结构．结果表明：F和F^＋心在禁带中引入了新的施主能级，采用过渡态的方法计算得到了F和F^＋心到导带底部的跃迁能量分别为1．86eV和2．11eV，对应668nm和590nm的吸收．由此说明BaMoO4晶体中668nm和590nm吸收带起源于晶体中的F和F^＋心．