【摘 要】
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美国Anadigics公司透露他们正在申请一项工艺专利,这项工艺是将异质结双极晶体管(HBTs)和赝配结构高电子迁移率晶体管(pHEMT)集成在单片 InGaPGaAs芯片上。该公司的这项HBT/p
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美国Anadigics公司透露他们正在申请一项工艺专利,这项工艺是将异质结双极晶体管(HBTs)和赝配结构高电子迁移率晶体管(pHEMT)集成在单片 InGaPGaAs芯片上。该公司的这项HBT/pHEMT工艺提高了一些公司无线功率放大器产品的通话时间和耐用性。
Anadigics Inc. of the United States disclosed that they are applying for a process patent that integrates heterojunction bipolar transistors (HBTs) and pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT) on a single InGaPGaAs chip. The company’s HBT / pHEMT process increases the talk time and durability of some of the company’s wireless power amplifier products.
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