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Enviro Xceed400工具能在刻蚀后和离子注入后以每分钟〉10μm的速度去除光刻胶残胶。基于远程的O2等离子源，该没备处理300mm晶圆的吞吐率达-400wph。它拥有4个工艺模块，占地面积小，软件可提升晶圆传输频率。
光刻胶残渣去除设备
【摘 要】
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Enviro Xceed400工具能在刻蚀后和离子注入后以每分钟〉10μm的速度去除光刻胶残胶。基于远程的O2等离子源，该没备处理300mm晶圆的吞吐率达-400wph。它拥有4个工艺模块，占地面
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2009年3期
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